| 研究課題/領域番号 |
26249149
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
原子力学
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| 研究機関 | 群馬大学 (2015-2016)
独立行政法人日本原子力研究開発機構 (2014) |
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研究代表者 |
神谷 富裕 群馬大学, 大学院理工学府, 教授 (70370385)
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| 研究分担者 |
鹿田 真一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ユビキタスエネルギー研究部門, 総括研究主幹 (00415689)
加田 渉 群馬大学, 理工学研究院, 助教 (60589117)
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| 連携研究者 |
佐藤 隆博 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 放射線高度利用施設部, 上席研究員 (10370404)
小野田 忍 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 上席研究員 (10370404)
杢野 由明 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクスセンター, チーム長 (60358166)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | ダイヤモンド検出器 |
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| 研究成果の概要 |
高エネルギーイオンの大気取出し窓兼イオン位置検出器として、単結晶ダイヤモンド薄膜による新奇透過型位置敏感型検出器の開発を行った。試験素子を作成しイオンビーム誘起電荷（IBIC）あるいはその時間応答（QTS）の計測により総合的な特性評価を行った。まずIBIC計測によりイオンの入射位置に依存する出力信号を観察した。加えて信号強度の照射量の増加に伴う劣化特性において実験と計算とを対比し、新たな劣化パラメータを提案した。また、単結晶ダイヤモンドの半導体としての電気的活性について、QTSにより検証した。加えてイオン照射が誘起するアバランシェ効果による生成電荷増幅という現象を新たに確認した。
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| 自由記述の分野 |
放射線科学
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