研究課題
基盤研究(B)
集積回路の構成部品であるＭＯＳトランジスタは、経時的に特性が劣化すること、高温、高電源電圧において特に劣化がすすみやすいことが知られている。本研究ではトランジスタの特性劣化を観測し、そのモデル化を行うことにより、集積回路の中・長期的な特性変動を予測可能としている。また，開発したモデルを用いて、回路中で特に劣化の進みやすいトランジスタを効果的に指摘する方法、および、劣化が進みやすいトランジスタの劣化度合を定量的に予測し、さらに劣化を緩和するための回路設計方法を与えている。
集積回路工学
