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本研究はグラフェンなどの原子層物質を応用した電子デバイスのための基板技術を提供することを目的とし、原子層基板として剥離法で多くの成果をもたらしている六方晶窒化ホウ素単結晶の結晶成長技術を、高温高圧法から量産化に有利な化学気相成長法へと展開した。成長用基板の探索を行う過程において、基板として高温高圧法による六方晶窒化ホウ素単結晶を用いたホモエピタキシャル技術を開発し、現在得られる最高品位の高温高圧法による単結晶よりも欠陥の少ない気相成長膜を得た。この技術を応用することにより六方晶窒化ホウ素のバンド端の電子状態の解明が期待される。
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