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Si/MgO/強磁性体素子において、スピン信号とソース・ドレイン端子間距離依存性について、実験を行った。微細素子作製条件(ミリング条件)の最適化をおこなうことで、Siチャネル上の金属再付着物を減らせることが分かった。また、電極にCo2FeSiホイスラー合金を用いて、素子を作製した結果、室温でスピン注入効率40％を達成した。この場合、局所測定配置での磁気抵抗比約1％を得た。
次に、Si半導体上に強磁性トンネル接合（絶縁体：MgO、電極：CoFeBとWの反平行結合膜）を作製した結果、比抵抗約10μm2、磁気抵抗比約250％の特性を得た。
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