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2016 年度 研究成果報告書

完全室温印刷による超高移動度有機トランジスタ

研究課題

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研究課題/領域番号 26286040
研究種目

基盤研究(B)

配分区分一部基金
応募区分一般
研究分野 応用物性
研究機関国立研究開発法人物質・材料研究機構

研究代表者

三成 剛生  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (90443035)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワードプリンテッドエレクトロニクス / フレキシブルエレクトロニクス / 有機トランジスタ / 有機半導体
研究成果の概要

室温導電性金属ナノ粒子と有機半導体を用いて、完全常温塗布プロセスによってチャネル長1ミクロンの短チャネル有機TFTを形成する「室温プリンテッドエレクトロニクス」技術を確立した。室温プロセスによって熱による基材の伸縮が完全に抑制されるため、プラスチック基板上でも正確に素子を印刷できる。表面選択塗布法を用いて、印刷の解像度を1ミクロンまで縮小した。形成した有機TFTは、チャネル長1 umで移動度0.3 cm2 V-1 s-1,チャネル長5 umで移動度1.5 cm2 V-1 s-1と見積もられた。

自由記述の分野

有機半導体デバイス

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公開日: 2018-03-22  

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