| 研究課題/領域番号 |
26286045
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 一部基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 名城大学 |
|---|
研究代表者 |
竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
|
|---|
| 研究協力者 |
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| キーワード | ワイドギャップ半導体 / 窒化物半導体 / p型 / 分極ドーピング / トンネル接合 / 光デバイス |
|---|
| 研究成果の概要 |
ワイドギャップ窒化物半導体p層の課題である高抵抗・低正孔濃度を解決するために、トンネル接合、分極ドーピング、価電子帯制御の三つの新規手法を提案し、新規発光素子への応用を検証した。その結果、MOVPE法により世界で最も抵抗の低いトンネル接合を実現し、電流狭窄マイクロLEDを実現した。さらに、分極ドーピングにより、高Al組成窒化物半導体において高キャリア濃度（1×1018cm-3以上）を実現し、縦方向に電流が流れる深紫外LEDや紫外面発光レーザを実現した。
|
| 自由記述の分野 |
半導体デバイス
|
