| 研究課題/領域番号 |
26286047
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 (2016)
国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 (2014-2015) |
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研究代表者 |
大島 武 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 上席研究員 (50354949)
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| 研究分担者 |
藤ノ木 享英 (梅田享英) 筑波大学, 数理物質科学研究科(系), 准教授 (10361354)
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| 連携研究者 |
小野田 忍 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所・先端機能材料研究部, 主幹研究員(定常) (30414569)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 結晶工学 / 格子欠陥 / 半導体物性 / 光物性 / 放射線 |
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| 研究成果の概要 |
炭化ケイ素（SiC）中の単一光子源（SPS）となる発光中心の探索、及びSPSであるシリコン（Si）空孔（Vsi）の導入に関する研究を推進した。構造未同定ではあるがSiC表面に高輝度なSPSが形成できること、更に、550C以上の酸素処理を行うとSPSの発光が安定することを明らかにした。また、pnダイオードや金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ中にSPSが形成できることを確認した。
加えて、MeV級の加速エネルギーを用いた陽子線描画（PBW）を用いることで、照射後にアニール等の処理をしなくても任意の位置にVsiを形成できること、及びVsiの生成収率が照射量の10%程度であることを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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