| 研究課題/領域番号 |
26286052
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
久保 理 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70370301)
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| 研究分担者 |
田畑 博史 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (00462705)
中山 知信 国立研究開発法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他 (30354343)
片山 光浩 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70185817)
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| 連携研究者 |
石井 宏幸 筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 助教 (00585127)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | シリセン / カルコゲナイド / ワイドバンドギャップ / ナノリボン / 多探針走査プローブ顕微鏡 / 走査トンネル顕微鏡 |
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| 研究成果の概要 |
シリセンはグラフェンに匹敵する高キャリア移動度を持つ上、バンドギャップが電界によって変調できる等、単層グラフェンにはない物性が理論的に予測されている。しかし、導電性基板上以外の作製報告がなく、必要な基礎データである電気伝導特性が実測されていなかった。本研究では、シリセン成長用基板として二硫化モリブデン、およびセレン化ガリウムを用いた。前者ではシリコンの単層および多層膜が形成され、双方とも金属的な性質を示すことがわかり、後者でもシリコン単層膜が形成されることが確認できた。また、多探針走査プローブ顕微鏡を用いてリボン状シリセンの電気伝導特性計測を行い、グラフェンに比べて低いシート抵抗を実測した。
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| 自由記述の分野 |
薄膜・表面界面物性
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