強誘電性と導電性の共存を利用した強誘電抵抗スイッチングの物理的機構に関する研究

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 26286055
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 澤 彰仁 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 副研究部門長 (10357171)
• 連携研究者: 山田 浩之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (00415762)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31

研究成果

• [産業財産権] トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子 (2020)
  • 発明者名: 山田 浩之, 澤 彰仁
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2016-193011
• [産業財産権] 不揮発性メモリ素子 (2019)
  • 発明者名: 山田 浩之, 澤 彰仁
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2015-001745
• [産業財産権] トンネル接合素子及び不揮発性メモリ素子 (2016)
  • 発明者名: 澤 彰仁, 山田 浩之
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 願2016-193011
  • 出願年月日: 2016-09-30