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本研究では，フルスペクトル領域で多重励起子生成が可能である光電変換デバイスを創製するため，ナノグラフェンおよび遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)と半導体カーボンナノチューブ(CNT)を用いた，CNT/ナノグラフェン・TMD光電変換デバイスを作製し，その特性を測定した．まず，CNTを配置した基板上にメタンプラズマを照射することで，CNT表面にナノグラフェンが形成されることを明らかにした．また，プラズマを用いて窒素およびセシウムイオンのドーピングを試みたところ，n型特性半導体CNTが合成されることが明らかになった．さらに，CNT/TMD光電変換デバイスを作製し，初めて発電特性の測定に成功した．
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