| 研究課題/領域番号 |
26287068
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
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研究代表者 |
鈴木 恭一 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (20393770)
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| 研究分担者 |
入江 宏 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究主任 (20646856)
小野満 恒二 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (30350466)
村木 康二 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 上席特別研究員 (90393769)
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| 研究協力者 |
フランソワ コエド 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所・量子電子物性研究部, リサーチアソシエイト
秋保 貴史 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所・量子電子物性研究部, 研究員 (50786978)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | トポロジカル絶縁体 / 半導体ヘテロ構造 / 量子スピンホール効果 / 量子化伝導 |
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| 研究成果の概要 |
InAs/GaSb系半導体ヘテロ接合構造により人工的に形成された2次元トポロジカル絶縁体(TI)について、表面、裏面の両側からのゲート制御によりTI-半金属遷移を実現した。また、試料形状および電極配置を工夫し片側のみのエッジチャネル伝導を測定し、量子化伝導に非常に近い値を観測した。さらに、GaSbの代わりにInGaSbを使い、室温を超えるTIエネルギーギャップを実現した。
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| 自由記述の分野 |
半導体物理学
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