現在、SiCやダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体や低コストかつ可変バンドギャップ半導体など、新たな高性能半導体の開発が急務である。本研究では、バンドギャップが4 eV程度、電子移動度もGaNと同レベルと新しいワイドギャップ半導体であるa-Cに異原子を導入し、光学ギャップ可変かつ高性能な半導体を実現することを目的とした。新しいCVD法とRFの高周波化によるsp3成分比の向上により、光学ギャップが1.2eVから2.7eVに可変なn型Si添加a-C半導体と1.8eVから2.5eVに可変なp型Si添加a-C半導体の作製に成功した。これらとSiとのヘテロ接合は、pn接合太陽電池として機能した。
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