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本研究では、異方性ひずみ導入による鉄シリサイド半導体のバンド構造制御を目的とし、ひずみ評価技術の構築、ひずみ緩和メカニズムの検証、SiGe上への鉄シリサイドエピタキシャル成長、異方性ひずみの評価および発光寿命の評価を行った。その結果、偏光ラマン分光法によりひずみ評価技術の構築し、Si欠陥によりひずみ緩和が生じることを明らかにした。SiGe(111)上の鉄シリサイドエピタキシャル成長にもはじめて成功し、その試料においてバンド構造変化を確認した。また、発光寿命評価では鉄シリサイド半導体のバンド間遷移による発光寿命の決定に成功した。
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