| 研究課題/領域番号 |
26289095
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 豊田工業大学 |
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研究代表者 |
榊 裕之 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 学長 (90013226)
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| 研究分担者 |
大森 雅登 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 嘱託研究員 (70454444)
Vitushinsk Pavel 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究補助者 (30545330)
秋山 芳広 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究補助者 (60469773)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | GaN / HEMT / ピエゾ効果 / 表面準位 / 界面準位 / 電界効果トランジスタ |
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| 研究成果の概要 |
GaN上にAlGaN膜を載せたHEMTを歪ませた時の伝導層の抵抗変化を調べ、ウルツ鉱に固有のピエゾ効果に起因する分極電荷の変化でほぼ説明できることを示した。また、試料表面に生じる分極電荷が、表面準位の充放電によって部分的に打ち消される現象に着目し、遮蔽作用を持つ金属電極の有る試料と無い試料の比較から、表面準位密度を推定できることを示した。また、GaAs上にAlGaAs膜を載せた構造を持つ素子でも、歪により結晶の対称性が損なわれるため、ピエゾ抵抗効果が生じ、これが電子の密度に加え、移動度の変化に起因することを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
半導体電子工学
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