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次世代３次元構造トランジスタの特定の微細領域におけるドーパント拡散過程を明らかにするために、最新のUVレーザー型３次元アトムプローブ法を用いて、粒界、粒内、ゲート酸化膜界面を区別してドーパント分布の900℃での熱処理時間依存性を調べた。n-typeトランジスタのゲートドーパントのPとp-typeトランジスタのゲートドーパントのBでメインの拡散メカニズムが異なることが明らかになった。多結晶Siゲート中のPの拡散は粒界拡散が支配的であった。一方、Bは粒界拡散だけではなく粒内拡散も支配的であり、Pの粒界拡散よりもBの拡散のほうが速いこともわかった。
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