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提案した理論的に細密なクロスポイント配列に適した抵抗変化型の不揮発性メモリ特性と整流特性を併せ持つメモリダイオードについて，基本構造と動作機構を明らかにした．メモリ効果に寄与する電子捕獲欠陥の起源を分析し，電子捕獲層の構造と製法とメモリ特性との相関について明らかにした．得られたメモリダイオードのエンデュランス、書き込み速度の個別特性として、10の7乗回、20μs以下が得られ、現行のフラッシュメモリを超える特性を取得した．さらに，200℃以下の低温製造プロセスの開発に至り，クロスポイント配列への適合性を提示した．
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