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アレイ化カスコード線形ドハティ増幅器を実現するため，基本セル構造となる独立バイアス型のInGaP/GaAs HBT３段カスコードMMICとAlGaN/GaN HEMT３段カスコードMMICを設計・試作した． HBTMMICでは非独立バイアス型に比べて電力利得は10dB以上，アイソレーションは23dB以上改善され，電力効率特性とひずみ特性も独立に最適化調整できることが実験的に確認された．HEMT MMICでも同様の効果が確認された．このようなセルを２つ用いてドハティ増幅器を構成したところ，出力バックオフ5dB以上の領域で付加電力効率の改善がシミュレーションで確認され，本手法の有効性が示された．
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