| 研究課題/領域番号 |
26289102
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
岩田 聡 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60151742)
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| 研究分担者 |
加藤 剛志 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (50303665)
大島 大輝 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (60736528)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | NiO反強磁性層 / 歪みセンサ / 巨大磁気抵抗効果 / スピンバルブ膜 / 一方向異方性 / 触覚センサ |
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| 研究成果の概要 |
NiO層をサンドウィッチした強磁性三層膜を磁化自由層をもつ巨大磁気抵抗素子の開発と磁気センサへの応用の検討を行なった。CoFe/NiO/CoFeB三層膜において，NiO層の層厚を3nmまで薄膜化することで，2つの磁性層が磁気的に結合することが分かり、これを磁化自由層とするスピンバルブ膜を作製したところ，約1.5％の磁気抵抗変化が得られた。また，FeSiB/CoFeB二層膜を磁化自由層とするスピンバルブ膜をカバーガラス上に成膜して，ガラス基板を歪ませたときの信号出力を観察したところ，引っ張り歪みから圧縮歪みへの変化に伴って、出力信号の増大が観察された。
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| 自由記述の分野 |
スピンエレクトロニクス
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