| 研究課題/領域番号 |
26289105
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
土屋 敏章 島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (20304248)
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| 研究分担者 |
小野 行徳 富山大学, 理工学研究部(工学), 教授 (80374073)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 電子デバイス・電子機器 / マイクロ・ナノデバイス / 表面・界面物性 |
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| 研究実績の概要 |
本研究の目的は，トラップを“密度”で表す従来のマクロ的な扱いから脱却し，ナノ構造界面における個々のトラップの分離検出技術，および，個々のトラップの物性評価技術を確立し，従来のマクロ的見地を基盤としたトラップ物理に新たな視点を加えて新展開を計ることである．この目的達成のため，トラップとしてはMOS界面トラップ，評価技術としてはチャージポンピング（CP）法を用いる．
今年度は以下の研究成果を得た．
１．単一MOS界面(Si/SiO2界面)トラップからのCP電流を室温で体系的に測定評価し，そのCP電流最大値が一定値fqではなく，0から2fqの範囲内 (fはゲートパルス周波数，qは電子電荷)にあることをはじめて明らかにした．この結果は，Si/SiO2界面のダングリングボンドであるPb0センターの電気的性質と一致する．このことは，CP法で単一Pb0センターを直接観測し評価することにはじめて成功したことを意味し，界面トラップの正体に対する究極的な判定を可能にした．
２．従来CP理論では，トラップ1個当たりのCP電流が一定値fqであることに基づいてトラップ密度を算出している．しかし，これが根本的に誤りであることを実証した．そして，CP電流に対するゲートパルスのオン時間やオフ時間等の効果を利用し，トラップ間相互作用も考慮した，CP法によるトラップ数の根本的なカウンティング法を確立した．
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
1: 当初の計画以上に進展している
理由
孤立単一MOS界面トラップからのチャージポンピング（CP）電流であることの判定法を前倒しで確立できたことで，単一Pb0センターをCP法で直接観測し評価することにはじめて成功するなど，当初の計画以上に進展している．
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| 今後の研究の推進方策 |
今年度確立した新たな根本的トラップカウンティング法を用いて，従来CP理論との差異を定量化すること，および，個々のトラップの離散的エネルギー準位評価技術を確立してエネルギー分布の導出を試みる．
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| 次年度使用額が生じた理由 |
次年度使用額はすべて基金助成金分であるが，その大部分（約30万円）はシールディングプローバ改造（サーマルチャックの取り付け・調整）に関わる業務費が削減されたことによる．
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| 次年度使用額の使用計画 |
予定外の成果発表等の機会が生じているため，その旅費等に充てる予定である．
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