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2014 年度 実績報告書

異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究

研究課題

研究課題/領域番号 26289107
研究機関徳島大学

研究代表者

永瀬 雅夫  徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20393762)

研究分担者 影島 博之  島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (70374072)
日比野 浩樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 (60393740)
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード電子デバイス / ナノ材料 / グラフェン / 異種機能集積化 / ナノコンタクト
研究実績の概要

グラフェン異種機能集積化デバイスの実現を目指して以下の検討を行った。
1.グラフェンプロセス基盤技術の確立:グラフェン作製条件の最適化を行うことにより高品質なグラフェンの安定的な作製環境の構築を行った。van der Pauw法を改良してステップテラス構造に由来する抵抗率の異方性の定量評価に成功した。また、この技術は試料全体の均一性の評価にも適用できることを明らかにし、単結晶グラフェンの膜質向上が可能となった。レジストプロセスにおける移動度低下のメカニズムを解明し、その影響の除去を試みた。さらにその検討の過程で電子線レジストとしても用いられているHSQがpドープ材料として利用可能であることを見いだした。
2.複合物性デバイスの検討:これまでに明らかにしてきた原子層スイッチ現象の検討を進め、グラフェンと金属ナノプローブとのコンタクト抵抗が環境(大気、真空)により変調されることを見いだした。この現象をマクロレベルで確認するため、真空プローバの整備を行った。
3.異種機能集積化の検討:集積化デバイスの準備段階として複合化デバイス用の各種治具の作製を行った。グラフェン層に直接的にコンタクトピンでコンタクトが取れることを確認した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

今後の検討の基盤技術である高品質グラフェンの安定的な作製技術の確立が行えた。また、各種のプロセスのグラフェン膜質への影響を定量的に把握することが可能であることを明らかにした。今後のデバイスプロセス構築に大きく寄与する。
コンタクト抵抗が環境により変化することを明らかにした。グラフェンの電子状態の変調によりコンタクト抵抗が変化することを明らかすることが出来た。また、予定通り真空プローバの整備が出来た。

今後の研究の推進方策

グラフェンの作製技術については用途に応じた膜質の調整が可能となる様に、より一層の技術の向上を目指す。
グラフェン膜質へのプロセスの影響を把握しつつ、デバイスプロセスの構築を行い、基本的な電界効果デバイスプロセスの構築を目指す。さらに、キャリア制御技術を確立して機能デバイスの実現を目指す。
グラフェンと金属電極のコンタクト特性の把握を行い、そのデバイス化の路を模索する。

次年度使用額が生じた理由

真空プローバーとその周辺機器の支出が当初の見積より少なかったため。

次年度使用額の使用計画

真空プローバー関連の計測機器、及び、ガス導入系の充実を図る。

  • 研究成果

    (14件)

すべて 2015 2014

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件、 謝辞記載あり 3件) 学会発表 (11件) (うち招待講演 5件)

  • [雑誌論文] Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene2015

    • 著者名/発表者名
      R. O, M. Takamura, K. Furukawa, M. Nagase and H. Hibino
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 ページ: 036502

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.036502

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Resistivity anisotropy measured using four probes in epitaxial graphene on silicon carbide2015

    • 著者名/発表者名
      Kobayashi Keisuke, Tanabe Shinichi, Tao Takuto, Okumura Toshio, Nakashima Takeshi, Aritsuki Takuya, O Ryong-Sok and Masao Nagase
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express

      巻: 8 ページ: 036602

    • DOI

      10.7567/APEX.8.036602

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2014

    • 著者名/発表者名
      関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 岩本 篤, 永瀬 雅夫, 影島 博之, 佐々木 健一, 赤崎 達志
    • 雑誌名

      レーザー研究

      巻: 42 ページ: 652~657

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] SiC上グラフェンのナノ物性評価2015

    • 著者名/発表者名
      永瀬 雅夫
    • 学会等名
      JSM SPM分科会・RIIFセミナー-グリーンエレクトロニクス材料・デバイスのSPM解析技術-
    • 発表場所
      NIMS(茨城県つくば市)
    • 年月日
      2015-03-19
    • 招待講演
  • [学会発表] HSQ 塗布による SiC 上グラフェンのキャリア濃度変化2015

    • 著者名/発表者名
      小田 達也, 小林 慶祐, 有月 琢哉, 青木 翔, 永濵 拓也, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会(応物2015春)
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県平塚市)
    • 年月日
      2015-03-12
  • [学会発表] Graphene on SiC substrate fabricated by infrared rapid thermal annealer2014

    • 著者名/発表者名
      Masao Nagase
    • 学会等名
      India-Japan workshop on "Nanotechnology: Synthesis & Sensing Applications",
    • 発表場所
      C-MET(Pune, India)
    • 年月日
      2014-10-16
    • 招待講演
  • [学会発表] Graphene on SiC substrates fabricated by an infrared rapid thermal annealer2014

    • 著者名/発表者名
      Masao Nagase
    • 学会等名
      3rd International Conference on Nanotechnology (NANOCON 014)
    • 発表場所
      Hotel Le Meredien (Pune, India)
    • 年月日
      2014-10-14
    • 招待講演
  • [学会発表] SiC(0001) Si 面上第一層目グラフェン成長における [1-100]ステップの役割,2014

    • 著者名/発表者名
      影島 博之, 日比野 浩樹, 山口 浩司, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-19
  • [学会発表] 金微粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2014

    • 著者名/発表者名
      関根 佳明, 日比野 浩樹, 小栗 克弥, 岩本 篤, 永瀬 雅夫, 影島 博之, 赤崎 達志
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-18
  • [学会発表] SiC 上グラフェンのラマンスペクトルにおける表面成分抽出2014

    • 著者名/発表者名
      青木 翔, 呉 龍錫, 井口 宗明, 中島 健志, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-18
  • [学会発表] SiC 上グラフェン表面電位の環境雰囲気効果に関する研究2014

    • 著者名/発表者名
      泰地 耕作, 奥村 俊夫, 中島 健志, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17
  • [学会発表] デバイス化プロセスにおける SiC 上グラフェン電子物性変調2014

    • 著者名/発表者名
      有月 琢哉, 奥村 俊夫, 呉 龍錫, 中島 健志, 小林 慶祐, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会(応物2014秋)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-09-17
  • [学会発表] Theoretical studies of graphene on SiC2014

    • 著者名/発表者名
      Kageshima Hiroyuki, Hiroki Hibino, Hiroshi Yamaguchi and Masao Nagase
    • 学会等名
      The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-07-30
    • 招待講演
  • [学会発表] Epitaxial graphene grown by infrared rapid thermal annealing2014

    • 著者名/発表者名
      Masao Nagase
    • 学会等名
      The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC2014)
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2014-07-28
    • 招待講演

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公開日: 2016-06-01  

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