• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2015 年度 実績報告書

異種機能集積化グラフェンデバイス構成法の研究

研究課題

研究課題/領域番号 26289107
研究機関徳島大学

研究代表者

永瀬 雅夫  徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20393762)

研究分担者 関根 佳明  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学部, 研究主任 (70393783)
影島 博之  島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (70374072)
大野 恭秀  徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (90362623)
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード電子デバイス / ナノ材料 / グラフェン / 異種機能集積化 / ナノコンタクト
研究実績の概要

グラフェン異種機能集積化デバイスの実現を目指して各種の検討を進めた。
1.グラフェンデバイス化基盤プロセス技術の確立:前年度までに確立した高品質グラフェンを用いて、各種のデバイス化プロセスがグラフェンに与える影響について検討を行った。各種のデバイスプロセス中で水洗(超純水処理)の影響が非常に大きいことを見いだした。各種の実験の結果、超純水処理によりグラフェン表面に安定な吸着水構造が形成されることが判った。
2.複合物性デバイス化の検討:グラフェンの機能化の検討の一環としてグラフェンと同様な二次元材料である二硫化モリブデン(MoS2)とグラフェンの接合特性の取得を行った。SiC上グラフェン(10mm角)にMoS2を剥離法で転写し、走査プローブ顕微鏡の導電性プローブをコンタクト電極として用いることにより複雑なデバイス化プロセスを用いる事無く、金属ーMoS2ーグラフェンのヘテロ接合系の電気特性の検討を行うことが出来た。
3.異種機能集積化デバイスの検討:集積化デバイス実現に向けて最小限のリソグラフィ技術を用いたデバイス化技術の構築を行った。コンタクトピンで直接コンタクトとった各種グラフェンデバイスの計測を行った。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

これまでに確立した高品質グラフェン技術の活用を進めることにより、これまでに無い知見が得られている。プロセス技術の基盤である水洗処理による影響を明らかにできたことは今後のデバイス化プロセス技術の構築に大きく寄与する。さらに、吸着水層による機能化の端緒を得ており、今後の展開が期待される。また、機能集積化の基盤技術となる各種接合の特性の把握についても順調に進んでいる。

今後の研究の推進方策

大面積高品質グラフェンの特徴を活かした検討を進める。超純水処理による吸着水構造の詳細の解明を進めるとともに、その環境センサ応用を目指す。また、SiC上グラフェンとの各種材料のコンタクト特性を把握して、その機能デバイス応用への路を探索する。

次年度使用額が生じた理由

ラマンモジュールの購入金額が予定より少なかったため。

次年度使用額の使用計画

ラマンモジュールの機能向上に充てる。

  • 研究成果

    (10件)

すべて 2016 2015 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (8件) (うち国際学会 3件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Effects of UV light intensity on electrochemical wet etching of SiC for the fabrication of suspended graphene2015

    • 著者名/発表者名
      R. O, M. Takamura, K. Furukawa, M. Nagase and H. Hibino
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 54 ページ: 036502

    • DOI

      10.7567/JJAP.54.036502

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] エピタキシャルグラフェン上の吸着水層2016

    • 著者名/発表者名
      中村 晃大, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 永濱 拓也, 北岡 誠, 永瀬 雅夫, 大野 恭秀
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-22
  • [学会発表] ロジウム - 二硫化モリブデン - グラフェンヘテロ接合の電気特性に関する研究2016

    • 著者名/発表者名
      楊 順涵, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-22
  • [学会発表] SiC 上グラフェンに堆積した金ナノ粒子の SERS 効果2016

    • 著者名/発表者名
      松村 尚知, 柳谷 伸一郎, 古部 昭広, 岸川 博紀, 後藤 信夫, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会(応物2016春)
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都目黒区)
    • 年月日
      2016-03-21
  • [学会発表] Electron emission using multilayered-graphene/SiO2/Si heterodevice driven with low-voltage supply in low vacuum2015

    • 著者名/発表者名
      D. Yoshizumi, K. Nishiguchi, Y. Sekine, K. Furukawa, A. Fujiwara and M. Nagase
    • 学会等名
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • 年月日
      2015-11-13
    • 国際学会
  • [学会発表] Top-gated graphene field-effect transistors by low-temperature synthesized SiNx insulator on SiC substrates2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno, M. Nagase and M. Kazuhiko
    • 学会等名
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • 国際学会
  • [学会発表] High quality graphene on SiC formed by the surface structure control technique2015

    • 著者名/発表者名
      T. Aritsuki, T. Nakashima, K. Kobayashi, Y. Ohno and M. Nagase
    • 学会等名
      28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2015)
    • 発表場所
      富山国際会議場(富山県富山市)
    • 年月日
      2015-11-12
    • 国際学会
  • [学会発表] Cat-CVD 法による SiNx 絶縁膜を用いた SiC グラフェン FET の作製2015

    • 著者名/発表者名
      大野 恭秀, 永瀬 雅夫, 松本 和彦
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
  • [学会発表] 雰囲気制御による SiC 上グラフェンの抵抗値変化2015

    • 著者名/発表者名
      永濱 拓也, 小林 慶祐, 有月 琢哉, 高嶋 和也, 青木 翔, 大野 恭秀, 永瀬 雅夫
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会(応物2015秋)
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県名古屋市)
    • 年月日
      2015-09-15
  • [備考] 永瀬・大野研究室 科研費報告

    • URL

      http://graphene.ee.tokushima-u.ac.jp/kaken.html

URL: 

公開日: 2017-01-06  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi