研究課題/領域番号 |
26289109
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 一部基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 九州大学 |
研究代表者 |
岡本 晃一 九州大学, 先導物質化学研究所, 准教授 (50467453)
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研究分担者 |
只友 一行 山口大学, 大学院創成科学研究科, 教授 (10379927)
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連携研究者 |
岡田 成人 山口大学, 理工学研究科, 助教 (70510684)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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キーワード | プラズモニクス / 光デバイス / 発光ダイオード / 窒化物半導体 / 量子井戸 / InGaN/GaN / LED / 表面プラズモン |
研究成果の概要 |
表面プラズモン(SP)共鳴を用いた高効率プラズモニックLEDを開発し、プラズモニクスの光・電子デバイス応用のための基盤技術の確立に取り組んだ。主な成果は次の通り。(1)電磁波解析計算により、金属ナノ構造とデバイス構造を最適化できた。(2)超薄P層を持つ高品質InGaN/GaN量子井戸LEDを作製した。(3)様々な金属種を用いたナノ微粒子の作製に成功し、紫外~可視の広い波長域でフレキシブルなSP共鳴波長制御に成功した。(4)顕微PLや近接場顕微分光を構築し、発光機構の空間分解評価に成功した。(5)プラズモニックLEDデバイスの作製に成功し、電流注入においても高効率化できることを実証した。
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自由記述の分野 |
ナノ光学、プラズモニクス
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