| 研究課題/領域番号 |
26289110
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| 研究機関 | 中央大学 |
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研究代表者 |
竹内 健 中央大学, 理工学部, 教授 (80463892)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | ナノデバイス / メモリ / 新機能材料 |
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| 研究実績の概要 |
カーボンナノチューブ（CNT-RAM）、遷移金属酸化物（ReRAM）など、新機能材料を用いたナノストレージ・クラス・メモリを活用する集積回路・デバイスの研究を引き続き実施。カーボンナノチューブメモリのメモリセルアレイの信頼性評価の結果をもとに、高信頼化・高速化を両立する制御手法、Reset-Check-Reverse-Flag (RCRF)を提案した。RCRFによりエラーを半減することに成功した。更にRCRFとBCH ECCを組み合わせることで、パリティオーバーヘッドを３５％、ECCデコード時間を１６％削減することに成功した。以上の成果の論文発表を積極的に行い、集積回路分野で世界トップの論文誌であるIEEE Journal of Solid-State Circuitsに２件の論文が掲載された。査読つき国際会議で４件の論文を発表、査読つき英文ジャーナルで2件の論文を発表。その他にも国内の学会で６件の論文を発表した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
1: 当初の計画以上に進展している
理由
カーボンナノチューブメモリの信頼性の評価の結果、当初予想していなかったナノデバイスの特徴を抽出することに成功し、当初の予定にない新たな課題に取り組むことで新しい制御手法（RCRF）を提案、実証することに成功した。以上のように、研究を加速することで当初予定した内容も十分な成果を挙げており、全体としては以上の成果を出している。
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| 今後の研究の推進方策 |
ナノメートルスケールのストレージ・クラス・メモリに最適な制御回路システムを構築する。特に3次元集積化が可能でかつ、IoT用途で必要とされる低電圧動作、低電力、高速な動作の実現を目標とする。低電圧動作ではトランジスタのしきい値電圧に起因する電力ロスが大きいことに注目し、この電力ロスを克服した回路システムを開発することで、従来の3次元回路システムよりも飛躍的に電力・性能が向上した3次元回路システムを構築する。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
3次元LSIの回路設計の過程で、当初の予想に反し、電源回路において電荷を出力に転送するパスゲートとしてPチャネルトランジスタを有効に使うことで電力効率が大幅に向上できることが判明した。
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| 次年度使用額の使用計画 |
3次元LSIの電源回路の回路設計で、Pチャネルトランジスタを活用した電源回路の追加の設計、評価を実施する必要が生じた。
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