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GaNとSi（SiC）について，150℃以下かつ大気圧雰囲気で実行可能な一括接合技術を開発した．水分子など異種材に汎用性のある架橋性物質を含有する窒素雰囲気で真空紫外光（VUV）を照射することで生成するラジカル種を利用し，材料表面の清浄化と極薄架橋層の形成を同時に行い，試料表面を接触させた後の低温加熱で脱水縮合反応などを促進して強固な結合を獲得した．これにより無機，有機を問わないハイブリッド接合が実現されたほか，架橋構造が簡易なパラメタで制御可能で，界面での特性劣化が少ないことを実証した．また，従来手法で製作されたものと同様構造のデバイスを接合手法で形成可能であることが示された．
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