| 研究課題/領域番号 |
26289113
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
松川 貴 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ長 (70287986)
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| 研究分担者 |
柳 永勲 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 上級主任研究員 (90312610)
昌原 明植 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門付き (50357993)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | テラヘルツ波 / FinFET / 先端機能デバイス / 半導体超微細化 |
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| 研究実績の概要 |
本年度は、CMOS-FinFETによるテラヘルツ波放射・イメージング技術の確立に向け、下記項目につき研究を推進した。
(1) テラヘルツ放射器性能向上に向けたFinFETスケーリング・プロセス技術の開発
平成27年度にゲート長50nm FinFETをベースとしたテラヘルツ放射器の設計・試作を実施したが、実用的な性能（最大発振周波数と出力強度）を実現するためには、FinFETのゲート長をさらに縮小する必要がある。その際、高周波回路においては寄生抵抗がより顕著に顕在化するため、寄生抵抗の増加を抑えつつスケーリングを進める技術の確立が必要である。実際に、FinFETスケーリングの試作実証を進めたところ、薄いfinへのイオン注入工程が顕著な寄生抵抗のばらつき増加を生じさせることが明らかになった。これを受けて平成28年度は、寄生抵抗増加のメカニズム解明と寄生抵抗抑制技術の確立を進め、通常のプレーナMOSFETにおいて浅い接合形成に有利なため採用されていたAsに代わり、Pをイオン注入に用いることで寄生抵抗が改善し、ばらつきも抑えられることを明らかにした。これにより、今後スケーリングが進むFinFETをテラヘルツ発生器に導入する道筋がついたと考えられる。
(2) FinFETベーステラヘルツ発生器の高度化の検討
テラヘルツ発生器の高度化の検討のため、各種学会においてプレーナMOSFETにおける高周波発生技術の動向調査を進めた。FinFETベーステラヘルツ波発生器をより高度に活用するためには、単なる単一光源のxyスキャンによるイメージングだけではなく、広い周波数帯域での発振周波数掃引が重要であること、周波数制御には損失の大きな可変容量素子（バラクタ）ではなくインダクタの活用の方が有利であること等、将来の開発方針を獲得した。
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| 現在までの達成度 (段落) |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 次年度使用額の使用計画 |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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