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本研究では、申請者らが近年開発した原子分解能電場計測走査透過電子顕微鏡法を用いてセラミックス界面の局所電場及び静電ポテンシャル構造を直接解析し、セラミックス界面における機能発現メカニズムを本質的に解明することを目指して研究を行った。まず、原子分解能電場計測STEM法による電場定量的計測手法を実験・理論両面から確立した。次に本手法を材料解析に応用した。その結果、①酸化物極性界面における電場変調及び電荷分布の可視化に成功、②従来のSTEMでは極めて困難であった半導体pn接合界面の可視化に成功、③金単原子内部の原子電場の直接観察に成功、などの研究成果が得られた。
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