|
昨年度に続き、ガス中蒸発法によるRhナノ粒子の作製を中心に実験を推進した。Rhナノ粒子の粒子径は、概ね1 nmから4 nmの範囲で作製可能という結果を得た。XPSやXAFSによる結果も併せて考えると、極めて清浄な表面を持つナノ粒子の作製に成功したといえる。
適当なSiウェハやHOPG基板表面に、ガス中蒸発法で作製したRhナノ粒子を固着し（大気にさらさない条件化で：in-situ条件で）、1気圧の純酸素に10分間暴露した試料に対してXPS測定を行ったところ、表面には酸化物の形成が認められた。またRhナノ粒子表面での窒化物の反応を分析するために、一酸化窒素（NO)ガスについても1%にHeガスで希釈した1気圧のガス雰囲気に暴露(10分間)したところ、NO2や原子状の酸素が吸着している知見を得た。
次に硫黄を含む分子として注目しているH2Sガスについての暴露については、暴露装置のトラブル(パーツの硫化）によって残念ながら実現できなかった。
一方で、同様なガス中蒸発法で作製したPdナノ粒子については、硫黄を含むガスの吸着によって被毒され、水素分子の解離・透過現象の速度が鈍化する結果が得られた。この結果から推測するに、Rhナノ粒子に関しても硫黄を含む分子についても、Pdナノ粒子と同様の結果になると考えられ、より効率のよりガン検出のスクリーニング基板作製に進展ができると考えている。
今後も継続したRhナノ粒子の硫黄被毒の化学状態を分析できるよう、実験装置に対策を施し、研究課題を推進することを予定している。
|
