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2015 年度 実施状況報告書

多レベルセルフラッシュメモリ用多値単方向誤り制御符号の研究

研究課題

研究課題/領域番号 26330059
研究機関千葉大学

研究代表者

北神 正人  千葉大学, 融合科学研究科(研究院), 准教授 (20282832)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード誤り訂正符号 / フラッシュメモリ / 単方向誤り / 多レベルフラッシュメモリ
研究実績の概要

今年度はフラッシュメモリの誤り特性を考慮した符号の適応方法について検討した.フラッシュメモリは消去(フラッシュメモリでは値の更新前に必ず消去を行う必要がある)の回数が増えるにしたがってメモリセル(1ビットあるいは固定数の複数ビットを記憶する記憶の最小単位で通常トランジスタ1個で構成される)の誤り率が上昇する.そこで,使用開始直後のセル誤り率の低い状態では誤り訂正能力の小さい符号を採用して検査長を削減してメモリ空間を有効利用したり符号化・復号時間を短縮して高速動作を可能にしたりする.消去回数が大きくなってセル誤り率が上昇した時には誤り訂正能力のより強い符号に変更する.これによってメモリセルの誤り率が上昇したとしても装置自体の誤り率を実用可能なレベルまで引き下げる.今回は単純なケースとして2段階の誤り訂正能力の符号を切り替えるモデルを採用してシミュレーションを行った.シミュレーションの結果から符号を切り替える目安を求めた.
また,利用する誤り訂正符号としてはこれまでブロック符号のみを対象としてきたが,畳み込み符号には確率的復号法を利用して復号に時間をかけると多くの誤りを訂正可能な符号が存在する.そこで,畳み込み符号の適用の可能性を探るために畳み込み符号の調査を開始した.具体的には少ない検査情報でより多くの誤りが訂正できるTail-Biting復号法の適用可能性を調べ,適用の可能性を調査した.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本研究を進めるにあたっての具体的な符号構成法が得られているため,おおむね順調に推移していると判断する.

今後の研究の推進方策

今後は各手法の完成度を高める.成果を学術論文にまとめて,国際会議で発表したり論文誌に投稿したりする.

次年度使用額が生じた理由

次年度使用額は前年度未使用額よりも千円程度増えただけである.すなわち,前年度未使用額がそのまま次年度に繰り越されたといえ,今年度の使用額は予算とほぼ一致している.

次年度使用額の使用計画

今年度は論文誌への掲載料がかかるが,ページ数が増加すると割増料金が発生する.次年度使用額は論文のページ超過に備えた経費とする.

  • 研究成果

    (2件)

すべて 2016 2015

すべて 学会発表 (2件)

  • [学会発表] The Effective Method of Improving Berlekamp-Preparata Convolutional Codes Decoding by Tail-Biting Technology2016

    • 著者名/発表者名
      Tianyi Zhang and Masato Kitakami
    • 学会等名
      電子情報通信学会情報理論研究会
    • 発表場所
      電気通信大学
    • 年月日
      2016-03-10 – 2016-03-11
  • [学会発表] NANDフラッシュメモリのためのP/E サイクルを考慮した誤り訂正符号2015

    • 著者名/発表者名
      浅井万平 北神正人
    • 学会等名
      電子情報通信学会ディペンダブルコンピューティング研究会
    • 発表場所
      クリエイト村上(新潟県村上市)
    • 年月日
      2015-12-18 – 2015-12-18

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公開日: 2017-01-06  

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