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本研究ではフローティングゲートに蓄積する電荷を段階的に制御することによって1個のメモリセルで多値（多ビットの値）を記憶できるマルチレベルセルフラッシュメモリに対する効果的な符号を開発している．メモリセルに生じる誤りが近傍値への誤りに限られることを利用した単一隣接誤り訂正符号を開発した．また，マルチレベルセルフラッシュメモリではページ内の複数セルの値を上位ビットから確定していくマルチページプログラミングが利用されページごとにビット誤り訂正符号が利用されているのを考慮して，誤り率を改善した復号手法を提案した．
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