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我々は、電気抵抗測定による核スピン共鳴検出技術と局所的な核スピン共鳴技術を組み合わせることで、半導体量子構造に適した走査核スピン共鳴顕微鏡を開発した。この技術により、半導体量子構造中の核スピン共鳴強度および量子電子スピンの分布を実空間観察することが可能である。この新奇の技術を量子ホール効果ブレークダウンに適用して測定を行った結果、電流によって励起された核スピン偏極や量子ホール電子スピン偏極が局所変化を観測することに成功した。我々の技術は、様々な量子デバイスにおけるナノスケール核スピン共鳴イメージングへの道を切り開くものである。
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