バンド間及びサブバンド間遷移中・遠赤外線量子井戸レーザの研究

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26390009
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ構造物理
• 研究機関: 静岡大学
• 研究代表者: 石田 明広 静岡大学, 工学部, 教授 (70183738)
• 研究協力者: 中嶋 聖介 ; 渡邉 祥司 ; 青藤 唯 ; 秋川 弘樹 ; フェルダ フェルディナンド
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: 中赤外レーザ / IV-VI族半導体 / 量子カスケードレーザ / 遠赤外レーザ

研究成果の概要

波長3～6μm帯PbTe及びPbS系バンド間遷移レーザと波長25～50μm未開拓波長域のPbTe系量子カスケードレーザの研究を行なった。バンド間遷移レーザでは高熱伝導基板であるSi上へのIV-VI族半導体の高品質成長法を開発し、SrS/PbS系レーザにおいて、室温パルス動作に成功した。未開拓波長域の量子カスケードレーザでは、In不純物準位を利用したEuTe/PbSnTe:In量子井戸を用いた量子カスケード構造を提案し、量子カスケードレーザ動作に必要なn型低キャリヤ濃度を安定して実現できることを確認した。

自由記述の分野

半導体物性