研究課題
基盤研究(C)
半導体材料をナノサイズにした物質である量子ドットは、光・電子デバイスや生体標識など様々な用途が期待されている。この量子ドットを高性能化するためには、光を吸収して量子ドット内に生成する多重励起子の生成過程・緩和過程を正確に評価し、理解することが必要不可欠である。本研究では、光子アンチバンチング測定を用いることで、この多重励起子生成・緩和過程を評価する新しい方法を検討した。また、プラズモンを用いて多重励起子緩和過程を制御する方法も確立した。
光物理化学
