大気圧CVD法酸化物半導体ナノワイヤーの形状及び表面制御と高感度ガスセンシング

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26390029
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ材料工学
• 研究機関: 愛媛大学
• 研究代表者: 寺迫 智昭 愛媛大学, 理工学研究科(工学系), 准教授 (70294783)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: ガスセンサ / SnO2 / β-Ga2O3 / CuO / Cu2O / 化学気相堆積法 / 気相-液相-固相っ成長 / 化学溶液析出法

研究成果の概要

大気圧CVD法による交互原料供給（ASS）下での気相-液相-固相成長によるSnO2及びβ-Ga2O3ナノワイヤー(NWs)の成長に成功した．SnO2 NWs平均直径は成長温度に対してわずかに増加したが，原料供給のサイクル数には依存しなかった．後者の結果は気相-固相成長によるNWs平均直径の増大がASSの導入によって抑制されていることを示唆している．β-Ga2O3NWs平均直径も成長温度に伴いわずかに増加した．両NWsのフォトルミネッセンスでは欠陥に関係したブロードな可視発光が支配的であった．また化学溶液析出法による同一原料から増感剤として使用するCuOとCu2Oの選択成長にも成功した．

自由記述の分野

半導体工学