ZnMgSTe混晶半導体の価電子帯エネルギーの制御によるp型伝導制御に関する研究

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26390053
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 鳥取大学
• 研究代表者: 市野 邦男 鳥取大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90263483)
• 研究協力者: 樫山 翔太 ; 難波 直 ; 長谷川 浩康 ; 門田 匡弘 ; 佐橋 響真
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: ZnMgSTe / ZnS / p-type / valence band / wide bandgap

研究成果の概要

ワイドバンドギャップ半導体のZnSをベースとし，Teを加えた混晶にNアクセプタを添加しp型ZnSTe:Nを得るという従来の成果をベースに，Mgを加えたZnMgSTe:N 4元混晶において，ワイドバンドギャップとp型の両立を図るという着想について，基本的な妥当性を確認した．
具体的にはまずベースとなるZnSTe結晶の結晶性をさらに改善した．次に，それをベースにMgを加え，従来ほとんど報告のないZnMgSTe 4元混晶の高品質結晶を作製し，バンドギャップ増大を検証した．さらに，Nアクセプタを添加し，p型化を示す結果を得た．

自由記述の分野

総合理工