研究課題
基盤研究(C)
本研究では、III族窒化物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥の発生・移動メカニズムの解明を目的として、特に欠陥の荷電状態に着目して研究を行った。プラズマ照射誘起欠陥の導入されたショットキーバリア・ダイオードに対して、熱・光・電圧を個別もしくは同時に印加する実験を行うことで欠陥挙動を明らかにした。その結果、ドーパントを不活性化しているプラズマ照射誘起欠陥の荷電状態変化が、ドーパントの再活性化のみならず欠陥の移動に重要な役割を果たしていることがわかった。
半導体結晶工学
