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2015 年度 実施状況報告書

ナノ構造制御によるグラフェンの高機能化デザイン

研究課題

研究課題/領域番号 26390062
研究機関東京工業大学

研究代表者

藤本 義隆  東京工業大学, 大学院理工学研究科(理学系), 元素戦略プロジェクト研究員 (70436244)

研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワードグラフェン / ドーピング / 第一原理計算
研究実績の概要

炭素の単原子層から構成されるグラフェンは、高いキャリア移動度など様々な特異な電子物性を有することから、次世代の電子デバイス材料候補として注目されている。一方、二層グラフェンにおいては、層間の相互作用により、単層グラフェンとは異なった新たな物性の出現の可能性が期待されている。本年度では、密度汎関数理論に基づいた第一原理電子構造計算手法を用いて、不純物を二層グラフェンへドープした場合でのエネルギー的安定性や電子特性を調べた。ホウ素をドープした場合には、エネルギー的安定性が置換サイトにほとんど依存していないことが分かった。一方、窒素ドープに関しては、安定性が置換サイトに依存する。すなわち、ドープされた窒素原子が、ドープされていないグラフェン層の炭素原子上で置換されるよりも、六員環の中心上で置換される方が、エネルギー的に低いことが分かった。さらに、ホウ素原子・窒素原子ともに、単層グラフェンへドープするよりも、二層グラフェンへドープした方が、エネルギー的利得が大きいことも分かった。電子特性に関しては、ホウ素をドープした場合、p型キャリア(正孔)が誘発され、窒素ドープでは、n型(電子)キャリアが誘発される。これらのキャリアは、ドープされたグラフェン層のみならず、ドープされていない層にも誘発されることが分かった。また、ホウ素がドープされると、ドープされる前と比較して、仕事関数が増加する。一方、窒素がドープされた場合では、仕事関数が減少することが分かった。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本年度では、二層系グラフェンへの不純物ドープでの安定性と電子構造を調べた。その結果、ドーピングのサイトの安定性や電気的キャリアは、ドーパントの種類によって異なることを明らかにした。このように、二層系グラフェンにおいても、ドーピングによって機能化されることを明らかにした。そのため、概ね順調に進展しているものと考える。

今後の研究の推進方策

今後においても、グラフェン内の不純物や欠陥を導入し、それらの安定性や電子特性を調べ、グラフェンの機能性材料としての可能性を探索する。特に、多層系シートの層間の相互作用に着目して研究を推進する。

次年度使用額が生じた理由

会議の参加費や論文の投稿料の免除により、当初の予定より成果報告に関する支出を抑えることができたため。

次年度使用額の使用計画

研究を速やかに遂行するために、計算機システムの利用額を増加するとともに、論文投稿や学会・国際会議等の発表などの成果報告のために割り当てる。

  • 研究成果

    (14件)

すべて 2016 2015

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件、 オープンアクセス 3件、 謝辞記載あり 5件) 学会発表 (8件) (うち国際学会 6件、 招待講演 4件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Interlayer distances and band-gap tuning of hexagonal boron-nitride bilayers2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto, S. Saito
    • 雑誌名

      Journal of the Ceramic Society of Japan

      巻: 124 ページ: 584-586

    • DOI

      http://doi.org/10.2109/jcersj2.15285

    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Effects of strain on carbon donors and acceptors in hexagonal boron-nitride monolayers2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto, S. Saito
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 93 ページ: 045402_1-7

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.93.045402

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Atomic geometries and electronic strucutres of hexagonal boron-nitride bilayers under strain2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto, S. Saito
    • 雑誌名

      Journal of the Ceramic Society of Japan

      巻: 123 ページ: 576-579

    • DOI

      http://doi.org/10.2109/jcersj2.123.576

    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Electronic structures and stabilities of bilayer graphene doped with boron and nitrogen2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto, S. Saito
    • 雑誌名

      Surface Science

      巻: 634 ページ: 57-61

    • DOI

      doi:10.1016/j.susc.2014.11.013

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Formation, Energetics and Electronic Properties of Graphene Monolayer and Bilayer Doped with Heteroatoms2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto
    • 雑誌名

      Advances in Condensed Matter Phyics

      巻: 2015 ページ: 571490_1-14

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1155/2015/571490

    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [学会発表] Doping, strain engineering, and interlayer interaction in bilayer hexagonal boron nitride sheets2016

    • 著者名/発表者名
      S. Saito, Y. Fujimoto
    • 学会等名
      APS March Meeting 2016
    • 発表場所
      Baltimore, USA
    • 年月日
      2016-03-14 – 2016-03-18
  • [学会発表] Physical and chemical properties of atomic layered materials from a first-principles density-functional study2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto
    • 学会等名
      2016 Asia-SAME Conference on Materials Science and Engineering
    • 発表場所
      Changsha, China
    • 年月日
      2016-03-04 – 2016-03-06
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] A first principles study on physical and chemical properties of carbon nanomaterials2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto
    • 学会等名
      The 3rd Conference on New Advances in Condensed Matter Physics
    • 発表場所
      Beijing, China
    • 年月日
      2016-02-29 – 2016-03-01
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Stabilities and electronic structures of bilayer graphene doped with B and N atoms: A first-principles study2015

    • 著者名/発表者名
      S. Saito, Y. Fujimoto
    • 学会等名
      The International Chemical Congress of Pacific Basin Societies 2015
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2015-12-15 – 2015-12-20
    • 国際学会
  • [学会発表] Energetics and electronic properties of B and N defects in graphene layered materials2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto
    • 学会等名
      International Conference on Small Science 2015
    • 発表場所
      Phuket, Thailand
    • 年月日
      2015-11-04 – 2015-11-07
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Formation, stabilities and scanning tunneling microscopy images of impurity defects in atomic layered materials2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto
    • 学会等名
      3rd International Multidisciplinary Microscopy and Microanalysis Congress & Exhibition
    • 発表場所
      Oludeniz, Turkey
    • 年月日
      2015-10-19 – 2015-10-23
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] BおよびNドープされた2層グラフェンの電子物性2015

    • 著者名/発表者名
      藤本義隆, 斎藤晋
    • 学会等名
      第49回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
    • 発表場所
      北九州国際会議場、北九州市
    • 年月日
      2015-09-07 – 2015-09-09
  • [学会発表] Energetics and electronic structures of substitutional B and N defects in bilayer graphene2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto, S. Saito
    • 学会等名
      The Sixteenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2015-06-30 – 2015-07-03
    • 国際学会
  • [図書] First-Principles Computational Design of Graphene for Gas Detection in Smart Materials for Waste Water Application2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto
    • 総ページ数
      pp. 155-177
    • 出版者
      Wiley-Scrivener Publishers

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公開日: 2017-01-06  

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