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2017 年度 研究成果報告書

ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおけるUV照射効果の解明

研究課題

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研究課題/領域番号 26390066
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 薄膜・表面界面物性
研究機関兵庫県立大学

研究代表者

新部 正人  兵庫県立大学, 高度産業科学技術研究所, 准教授 (10271199)

連携研究者 川上 烈生  徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 助教 (30314842)
中野 由崇  中部大学, 総合工学研究所, 教授 (60394722)
研究協力者 小高 拓也  
佐野 桂治  
平井 翔大  
荒木 佑馬  
田中 良  
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2018-03-31
キーワードプラズマエッチング / 紫外線照射 / ワイドギャップ半導体 / UV / GaN / TiO2
研究成果の概要

ワイドギャップ半導体のプラズマエッチングプロセスにおいて発生する欠陥について、欠陥形成へのUV照射効果を調べる目的で、UV照射とイオンビームエッチングを同時に行える装置を作製した。しかし、この装置ではUV照射の顕著な差異を検出することができなかった。これは、イオンビームエッチングの場合、プラズマエッチングと比較してイオンフラックスの量が格段に少なく、相乗効果が出にくかったものと考えられた。そこで、UV発光に差のあるArとCF4およびO2とN2の4種類のガス種についてAlGaN膜等のプラズマエッチングを試み、さらにUV照射装置を組み込むことにより、表面ダメージが増え、ピット状に欠陥ができた。

自由記述の分野

放射光科学

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公開日: 2019-03-29  

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