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Si(100)基板上のCeO2薄膜のエピタキシャル成長において、基板表面電位分布制御により、成長する結晶面方位が自由に選択可能となる方位選択エピタキシの応用研究を進めた。電子ビームを照射して局所的に表面電位を変化させる方法を採用し、Si(100)基板上にCeO2(100)と(110)領域の複合面方位構造の形成に成功した。この２つの面方位領域間に両方の方位成分を含んだ遷移領域が存在し、その幅がSi基板の比抵抗の対数に比例して縮小することが分った。絶縁基板上Si層にリソグラフィにより溝を設けてSi島を形成して、複合面方位領域間を完全分離することが再現性良く実現できることを実証した。
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