| 研究実績の概要 |
ｐ型Si(100)、Si(110)、Si(111)基板上に膜厚1.2-1.3nmのSiO2薄膜をドライ酸化で形成した。これらの試料の価電子帯スペクトルと内殻準位Si1sスペクトル, Si2pスペクトル, O2SスペクトルをX線光電子分光法で、KLLオージェスペクトルをAES電子分光法で、SiK端の吸収端近傍微細構造をX線吸収透過法で測定した。その結果、Si(111)基板上に形成したSiO2膜は他の基板上に形成したSiO2膜と較べて価電子帯と内殻準位O2Sのエネルギー差が小さくなっていること、また推定した光学的誘電率が僅かに小さいこと、構造遷移層に結晶性が残っている事などが分かった。上記のエネルギー差はSiO2酸化膜を特徴づけるランダムネットワーク構造のSi-O-Si結合角を反映することをこれまでに明らかにしていることを踏まえると、Si(111)面の原子構造を反映してSiO2/Si(111)界面近傍に存在する構造遷移層の原子配列はSi-O-Si結合角が小さいという特殊性を有することを示唆している。
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