| 研究課題/領域番号 |
26390072
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 |
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研究代表者 |
廣瀬 和之 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 教授 (00280553)
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| 連携研究者 |
野平 博司 東京都市大学, 工学部・電気電子工学科, 教授 (30241110)
小林 大輔 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 助教 (90415894)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | SiO2 / interface / amorphous / XPS / XANES / defect |
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| 研究成果の概要 |
X線光電子分光スペクトルならびにX線吸収端極近傍微細構造スペクトルを測定し詳細に解析することで，各種の面方位を持つSi基板上に熱酸化で形成した膜厚1nm程度のSi 酸化膜の物性およびアモルファス構造を評価した．誘電率, 密度，架橋O原子の結合角θSi-O-Si，組成遷移層の構造などはSi基板面方位によって異なることが示唆された. これらのことから膜厚が1nm程度に薄くなるとSi酸化膜はアモルファス構造といっても一様では無く，Si面方位の構造の影響を受けて変化すること，その結果物性が異なること，これらのことがゲートSi酸化膜の信頼性に大きく関わる膜中欠陥密度の違いを生むことが示唆された.
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| 自由記述の分野 |
interface physics
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