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紫外発光するSi/SiO2多層膜において，Si層とSiO2層との推定膜厚比に対する発光ピーク強度の変化について調べた。結果として，一周期あたりのSi推定膜厚比が0.29の時，紫外発光ピークが最大になることがわかった。更に，微細周期構造の付与による光取り出し効率改善のための基礎検討として，発光材料としてのZnO薄膜をSi基板上に成膜し，その試料の表面に，二光束干渉露光法を駆使してZnOからなる微細周期構造を形成後，その発光特性の変化を調べた。その結果，微細周期構造が有る場合は，無い場合に比べ，観測される発光ピーク強度が約5倍にまで向上することを確認できた。
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