| 研究課題/領域番号 |
26390075
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (2016)
東京大学 (2014-2015) |
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研究代表者 |
吉田 正裕 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 太陽光発電研究センター, 主任研究員 (30292759)
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| 連携研究者 |
秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 教授 (40251491)
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| 研究協力者 |
陳 少強 華東師範大学, 教授
伊藤 隆 東京大学, 物性研究所, 博士研究員
中村 孝宏 東京大学, 物性研究所, 学生
中前 秀一 東京大学, 物性研究所, 学生
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 半導体レーザー / 利得スイッチング動作 / 超短パルス / 光エレクトロニクス / 光学非線形効果 / 光源技術 |
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| 研究成果の概要 |
強励起利得スイッチング動作による半導体レーザーからの光パルスレーザー発振実験を系統的に実施した。光励起GaAs バルクレーザーにおいて、光励起強度を上げていくと、パルス幅が徐々に短くなるとともに短波長側にスペクトルが広がる様子が観測された。短波長領域ではパルス幅1 ps以下の超短光パルスが発生していることを確認した。強励起状態で観測される特異な超短光パルス発生メカニズムを利得活性層中での光励起キャリアのバンド内分布と緩和過程を考慮した現象論的なキャリアダイナミクスモデルを基に考察した。
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| 自由記述の分野 |
工学
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