| 研究課題/領域番号 |
26390089
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
笠原 健一 立命館大学, 理工学部, 教授 (70367994)
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| 研究協力者 |
杉本 喜正 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 主席研究員 (60415784)
尾崎 信彦 和歌山大学, システム工学部精密物質学科, 准教授 (30344873)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 中赤外光 / 光検出器 / 光アンテナ / 共鳴レーリー散乱 |
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| 研究成果の概要 |
本研究の目的は光アンテナの電界増倍と半導体量子井戸中でのサブバンド間遷移を使って高速・高感度な中赤外の受光素子を実現することが目的である。そのために原子層堆積法を用いて実際の電界増倍度を測定する手法を新規に開発し、SiC基板表面の表面フォノンポラリトン信号を観測することで有効性を確認できた。光電界増大に伴う共鳴レーリー散乱増大と光吸収断面積の低下が懸念されたが、光検出器で想定している円形光スロットアンテナでは増倍度が～100で、問題は生じないことが分かった。次に実際にAlGaAs/GaAs素子の上に円形光スロットアンテナを形成し、サブバンド間遷移に起因する反射スペクトルを確認できた。
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| 自由記述の分野 |
光エレクトロニクス
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