研究課題
基盤研究(C)
近年、シリコンに代表される間接遷移型IV族半導体に対して太陽電池やスピンデバイスとしての期待が急速に高まっている。しかし、長いスピンコヒーレンス時間が予想されるダイヤモンドにおいて、スピン輸送の担い手となりうる非局在キャリアのスピン緩和時間の測定例はなかった。そこで、本研究では、偏光レーザー照射によるスピン偏極キャリアの注入を試み、運動量緩和時間や輸送特性を明らかにした。本研究の成果は、次世代デバイスにおける非局在スピンの有効活用につながるものと期待される。
光物性物理学
