| 研究実績の概要 |
有効磁気交換散乱の評価プログラムを完成し、層状銅酸化物高温超伝導体に適用した。Hg系とTl系の差異がバッファー層起源の交換散乱超過程に起因することを明らかにして、報文に纏めた。(JPSJ投稿中)３バンド系特有のこの交換散乱過程は、遮蔽直接散乱項や酸素起源超交換より物質に依存した増強が見込まれ、有効な超伝導強化機構を与える。Hg系では最適ドープ量を与える酸素濃度で強化機構が最も有効になるが、Tl一層系では強化が効かなく転位温度が半減すると予想され、実験結果と整合する。近年発見された硫化水素高温超伝導体H3Sのトポロジカル起源バンド縮退効果を明らかにして、Suhl-Kondo機構との関連を日本物理学会で報告した。３バンド系で見られる交換散乱超過程を有効に発生する原子欠損をもつグラフェンを考察し、ゼロモードのトポロジカル起源縮退効果を明らかにした。この系の一重項状態の構造安定性と近藤遮蔽のトポロジカル安定性起源を明らかにして、報文に纏めた。グラフェン・アームチェア端でのゼロモード発生に関する実験・理論の共同研究を纏めた。ゼロモードを持つ原子欠損グラフェンでの化学吸着効果の特徴から水素貯蔵材料への展開も指摘した。GW法相当の遮蔽相互作用評価法と頂点補正導入法、ベーテサルペータ方程式(BSE)による二体有効相互作用を、超過程計算から与える方法を整備し、従来のGW, BSEが我々の方法の近似として与えられることを確認した。半導体中のエキシトン系の超過程による遮蔽相互作用評価法と基礎プログラムを完成し、GaN, GaAs, GaPでの評価を行った。多配置参照密度汎関数法(特許第4918683号、第5447674号)の普及のため、アドバンスソフト株式会社と共同研究を行い、その波及として超過程計算プログラムの高速平面波展開法への移植方法を纏めた。各種技術公開イベントでの講演や実習を行った。
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