| 研究課題/領域番号 |
26400363
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
高畠 敏郎 広島大学, 先端物質科学研究科, 教授 (40171540)
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| 連携研究者 |
梅尾 和則 広島大学, 自然科学研究支援開発センター, 准教授 (10223596)
木村 真一 大阪大学, 大学院・生命機能研究科, 教授 (10252800)
横谷 尚睦 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (90311646)
浴野 稔一 広島大学, 大学院・総合科学研究科, 教授 (40185103)
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| 研究協力者 |
ADROJA Devashibhai ラザフォード・アップルトン研究所, ISIS施設, 上級研究員
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 物性物理学 / 強相関電子系 / 近藤半導体 / セリウム化合物 / トンネル分光 / 光電子分光 / 磁気秩序 / リフシッツ転移 |
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| 研究成果の概要 |
なぜ近藤半導体CeT2Al10 (T=Ru,Os)は28 Kという異常に高い温度で反強磁性秩序するのかを解明するために，T=Osの系に４ｆ正孔，５ｄ正孔，５ｄ電子をドープした三種類の試料を作製して，電子状態の変化をバルク測定，トンネル分光，光反射分光，光電子分光，中性子散乱で調べた。その結果，ドープによる４ｆ電子状態の変化は三者三様であったが，共通点が見出された。即ち，温度低下とともに混成ギャップが形成され，フェルミ準位での電子状態密度の減少する割合が急激になった後に，磁気秩序が起きる事であった。そこで，フェルミ面の一部消失が特異な磁気秩序を誘起するというリフシッツ機構によるモデルを提案した。
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| 自由記述の分野 |
物性物理学
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