| 研究課題/領域番号 |
26400379
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
長谷 泉 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (00357774)
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| 研究分担者 |
柳澤 孝 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (90344217)
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| 連携研究者 |
伊豫 彰 産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 上級主任研究員 (50356523)
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| 研究協力者 |
小田切 宏輔
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 価数スキップ / s１化合物 / 超伝導 / 電荷密度波 / 第一原理計算 / 格子緩和 |
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| 研究成果の概要 |
価数スキップ機構による超伝導は、高いTcと等方性の両方を満足する可能性を秘めている。本研究の目的は、価数スキップ揺らぎを引き起こす可能性の高い物質を理論的に選定し、その電子構造を明らかにすることである。本研究において化合物超伝導体InTeとSnAsは、典型的価数スキップ超伝導体(Ba,K)BiO3と電子構造が類似していることが示された。またRbTlCl3において圧力誘起金属絶縁体転移を予測した。さらに、パイロクロア化合物Sn2Nb2O7にもしホールを導入できれば、磁性元素を含まない強磁性が実現することを第一原理計算により予測した。
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| 自由記述の分野 |
物性理論、第一原理計算
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