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高選択NO分子を修飾した電極を作成に基づく生体NOセンシングデバイスの構築を目指した。電極表面に長鎖アルキル基を有する４級ホスホニウムイオンを修飾すると、アルキル基間の立体障害により分子間が離れて配置し空間が生じる。NO高選択性センシング分子をその空間に捕捉することで、センサー電極を調製した。センシング分子は３種類合成したが、その中で選択性に富んだ２種類を対象としてセンシング能の検討を行ったところ、そのうちの１つが10~150 ppb濃度のNOの検出を定量できることがわかった。また長鎖アルキルの長さをコントロールすると、応答速度を変えることが可能な空間を構築できることが示唆された。
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