|
偏析制御が必要であるため、従来単結晶材料の量産に用いられてきた引き上げ法やブリッジマン法では量産が困難な分解溶融化合物単結晶を赤外線集中加熱浮遊帯溶融法で育成するための技術開発を行った。Prを添加したLu3Al5O12やCeを添加したGd2Si2O7を育成するための条件の最適化を行った。原料作製法や結晶育成時の集中加熱法を最適化することで長時間の安定した結晶育成が可能となるとともに育成結晶に生じるクラックを低減することに成功した。また、育成結晶径は、15mmに達し、装置の大型化により、一層の大型化が期待できることがわかった。
|
