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本研究はZnO1-xSx（ZnOS)薄膜の電気的ならびに光学的な性質を明らかにした。硫黄を同時蒸着したパルスレーザ堆積法では、硫黄濃度が30% まで増加し、同時にp型ZnOS薄膜が得られた。2モル％Naを添加して低抵抗のｐ型ZnOS薄膜を得た。化学気相堆積法により、量子ドットZnOS薄膜を作製した。ZnOS薄膜の透過スペクトルには、基板温度の低下とともに吸収端が短波長側にシフトした。基板温度125℃の低温で作製された量子ドットZnOS薄膜は500nmに欠陥による蛍光を示した。これに対して、ZnO/ZnS界面で生成した秩序性のZnOS薄膜はハンド間発光を示した。
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